Speichermodule

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Speicherbausteine

  • RAM Random Access Memory
Speicher mit wahlfreiem Zugriff, kann beliebig gelesen und beschrieben werden.
  • DRAM Dynamic RAM
Speicherinhalt muss nach kurzer Zeit wieder aufgefrischt werden (Refresh).
  • EDO_RAM Extended Data Output RAM
Kein Refresh erforderlich, Daten werden zwischengespeichert, bvor die CPU die Daten abruft.
Vorteil: Prozessor kann die nächste Speicherzelle bereits adressieren (Geschwindigkeitsvorteil beim Lesen)
66 MHz Taktfrequenz
Der Speicher verfügt über einen Taktgeber, der mit dem Systemtakt syncronisiert ist (Taktfrequenz 66, 100, 133MHz).
Dadurch enstehen geringe Zugriffszeiten. Betriebsspannung 2,5V.
  • RDRAM Rambus DRAM
Speicher mit hoher Datenrate, 10mal schneller als bei SDRAM. Daten werden auf der ansteigenden und abfallenden Flanke
gelesen (doppelte Datenrate). Taktfrequenz bis 400MHz, Betriebsspannung 2,5V.
Daten werden auf der ansteigenden und abfallenden Flanke gelesen (doppelte Datenrate), Betriebspannung 1,8V, 2,5V

Speicherbausteine

  • RAM Random Access Memory
Speicher mit wahlfreiem Zugriff, kann beliebig gelesen und beschrieben werden.
  • DRAM Dynamic RAM
Speicherinhalt muss nach kurzer Zeit wieder aufgefrischt werden (Refresh).
  • EDO_RAM Extended Data Output RAM
Kein Refresh erforderlich, Daten werden zwischengespeichert, bvor die CPU die Daten abruft.
Vorteil: Prozessor kann die nächste Speicherzelle bereits adressieren (Geschwindigkeitsvorteil beim Lesen)
66 MHz Taktfrequenz
Der Speicher verfügt über einen Taktgeber, der mit dem Systemtakt syncronisiert ist (Taktfrequenz 66, 100, 133MHz).
Dadurch enstehen geringe Zugriffszeiten. Betriebsspannung 2,5V.
  • RDRAM Rambus DRAM
Speicher mit hoher Datenrate, 10mal schneller als bei SDRAM. Daten werden auf der ansteigenden und abfallenden Flanke
gelesen (doppelte Datenrate). Taktfrequenz bis 400MHz, Betriebsspannung 2,5V.
Daten werden auf der ansteigenden und abfallenden Flanke gelesen (doppelte Datenrate), Betriebspannung 1,8V, 2,5V